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芯原与NextG-Com合作开发下一代Cat-0/Cat-M参考平台

2015-12-10 09:0018880

中国北京,英国斯坦斯—2015年12月10日—芯原股份有限公司(芯原)和NextG-Com有限公司(NextG-Com)今日宣布合作开发下一代Cat-0/Cat-M 设计参考平台。此次合作将联合采用基于芯原ZSPTM内核的物理层,以及NextG-Com运行在主中央处理器(CPU)上的ALPSLiteTM LTE Cat协议栈。

 

NextG-Com是为物联网(IoT)和M2M市场提供蜂窝连接解决方案的领先企业。ALPSLite是业内第一款专为物联网应用而设计的3GPP Cat-0协议栈。芯原是一家芯片设计平台即服务(Silicon Platform as a Service,SiPaaS™)提供商,为全球业内领先厂商提供广泛的半导体IP和一站式定制化芯片设计服务。ZSP创新技术可实现物联网和M2M应用平台所需求的性能、功耗和成本的绝佳平衡。

 

“基于LTE的物联网市场存在着重要的市场机会,同时也是NextG-Com的战略重点。我们的ALPSLite协议栈已经拥有了多个设计成功案例,然而市场对集成了物理层的全面解决方案的需求正与日俱增。” NextG-Com首席执行官Denis Bidinost表示,“与芯原战略合作至关重要,且双方高度互补。ALPSLite协议栈与芯原基于ZSP内核的物理层相结合,可提供完整的解决方案以满足众多需要集成定制化蜂窝连接解决方案的物联网垂直市场。”

 

芯原创始人、董事长兼总裁戴伟民博士表示:“LTE Cat-0和Cat-M连接技术将会被广泛部署到物联网和M2M应用中。自第一代ZSP系列产品发布起,我们可扩展的ZSP内核已经被成功应用于各种各样的无线终端中。我们非常高兴能与NextG-Com合作开发下一代创新物联网平台。一个高度可定制化且超轻量级的协议栈,与我们一流的DSP技术(ZSP)和优化的LTE物理层参考设计相集成,将为客户提供一个完整的、灵活的LTE Cat-0/Cat-M平台,以满足物联网和M2M市场对低成本、低功耗、广覆盖以及快速系统集成的需求。”

 

 

关于NextG-Com

 

NextG-Com有限公司是领先的IP产品开发商和提供商,面向LTE、卫星和物联网相关应用。公司成立于2008年,总部设在英国泰晤士河畔斯坦斯。

 

NextG-Com拥有丰富的与全球一流半导体厂商合作的经验,为其成功交付复杂的连接解决方案。公司提供宽泛的技术服务,涵盖调制解调器技术开发的各个方面,这些服务与公司其他创新产品相结合,使得客户可为市场交付高品质的解决方案并降低产品上市时间。NextG-ComMTCeNB IoT产品线上有清晰的发展规划,致力成为为物联网/M2M市场提供下一代LPWA LTE 连接解决方案的领先厂商。

 

更多信息请访问:www.nextgcom.co.uk

 

 关于芯原

 

芯原股份有限公司(芯原)是一家芯片设计平台即服务(Silicon Platform as a ServiceSiPaaSTM)提供商,为包含移动互联设备、数据中心、物联网(IoT)、可穿戴设备、智能家居和汽车电子等多种终端市场在内的各种广泛应用提供以IP为中心的、基于平台的芯片定制服务和一站式端到端的半导体设计服务。

芯原的SiPaaS解决方案可缩短设计周期、提高产品质量和降低风险。宽泛和灵活的SiPaaS解决方案为包含新兴和成熟半导体厂商、原始设备制造商(OEMs)、原始设计制造商(ODMs),以及大型互联网平台提供商在内的各种客户类型提供极具吸引力的半导体产品替代解决方案。

芯原的芯片平台包括基于可授权的ZSP®(数字信号处理器核)的高清音频、高清语音平台和多频多模无线平台, Hantro高清视频平台,可穿戴设备平台,物联网(IoT)平台,面向语音、手势和触摸界面的混合信号自然用户界面(NUI)平台。芯原的一站式芯片定制服务所涵盖的内容包括:面向一系列宽泛的工艺制程节点(含28nm22nm FD-SOIFinFET等先进工艺节点),结合自身技术解决方案和增值的混合信号IP组合所提供的设计服务,以及为系统级芯片(SoC)和系统级封装(SiP)所提供的产品设计及工程服务。

芯原成立于2001年,其公司总部位于中国上海,目前在全球已有超过500名员工。芯原在中国、美国和芬兰共设有6个设计研发中心,并在全球共设有9个销售和客户支持办事处。更多信息请访问www.verisilicon.com

 

媒体联络

 

NextG-Com Ltd

Sameer Pathak

Tel: +44 1784 462198

sameer.pathak@nextgcom.co.uk 

 

芯原(VeriSilicon
Miya Kong
+86 135 9026 2584
press@verisilicon.com

 

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